Физика 1

Физика 2

Физика на полупроводниците

Физика 1 за инженери

Физика 2 за инженери

Биография

Образование

1970 – дипломиран физик, специалност физика на полупроводниците, Софийски университет “Св. Кл. Охридски”

1981 – д-р, докторска дисертация в Институт по физика на твърдото тяло, БАН

1980 – 1981 специализация в Институт по полупроводникова техника, Висше техническо училище Рейн-Вестфалия

1984 – специализация в Академия на науките на ГДР, Берлин

1988 – ст. н. с., хабилитация в Институт по физика на твърдото тяло, БАН

2003 – доцент, хабилитация в ТУ - София

2009 – дтн, докторска дисертация в ТУ - София

2011 – професор, хабилитация в ТУ - София

Професионална дейност

Институт по физика на твърдото тяло, Българска академия на науките:

1970 - физик, 1974 – научен сътрудник, 1988 – 2003 старши научен сътрудник

Технически университет – София:

2001 – 2003 хоноруван преподавател

2003 – 2011 доцент

2011 – професор

Научни изследвания и интереси

Физика и технология на полупроводниците и наноструктурите

Повърхностни и интерфейсни свойства в тънкослойни структури

Нелинейни оптични явления в тънки слоеве

Проекти

Име на проекта	Кратко описание	Дата на проекта
Изследване на свойствата на МОС структури при обогатяване на окисния слой с водород по различни технологични методи		1995-1998
Изследване на тънкослойни SiOxNy/Si, формирани чрез йонна имплантация на азот в силиций		2006
Изследване на микро- и наноразмерни хидрогенирани и нитридирани силициеви структури с подобрени интерфейсни свойства		2010-2011
Infrastructure Initiative Project N. 026134 (RI3) ANNA (European Integrated Activity of Excellence and Networking for Nano and Micro- Electronics Analysis), EUROPEAN COMMISSION - SIXTH FRAMEWORK PROGRAMME, Research Infrastructures Action “Study of atomic structure and defects of Si/SiO2 structures grown on hydrogenated silicon wafers		2011

Публикации и научна дейност

Над 90 статии в научни издания и над 70 доклада на конференции, цитирани над 350 пъти в научната литература Научни съвети и съюзи Независим експерт към 5РП и 7РП на ЕС 1998 – 2006 член на Научния съвет на Институт по физика на твърдото тяло, БАН 2003 – 2013 член на Съвета на Департамента по физика на ТУ – София 2007 – 2013 член на Факултетния съвет на ФаГОПМ на ТУ - София 2007 – 2010 член на Специализирания съвет по кондензирана материя към ВАК 1972 – член на Съюза на физиците в България 2011 - член на КК на Съюза на физиците в България 2004 - член на Българско дружество по материалознание

Заглавие на публикацията	Автор	Източник	Дата на проекта
“Thickness-dependent interface parameters of silicon oxide films grown on plasma hydrogenated silicon”	S. Alexandrova, A. Szekeres	Solid State Phenomena, 159 (2010) pp 163-166
“Electroreflectance spectroscopy study of hydrogen plasma immersion ion implanted silicon with ultrathin oxide film”	S Alexandrova, A Szekeres, R Yu Holiney and L Matveeva	Journal of Physics: Conference Series 253 (2010) 012037
“Interface trap generation in MOS structures by high-energy electron irradiation”	E Halova, S Alexandrova, S Kaschieva and S N Dmitriev	Journal of Physics:ConferenceSeries 253 (2010) 012047
“Structure-related strain and stress in thin hydrogenated microcrystalline silicon films”	K. Christova, S. Alexandrova, A. Abramov, E. Valcheva, B. Ranguelov, C. Longeaud, S. Reynolds and P Roca i Cabarrocas	Journal of Physics: Conference Series 253 (2010) 012056
“Defects in SiO2/Si Structures Formed by Dry Thermal Oxidation of RF Hydrogen Plasma Cleaned Si”	S. Alexandrova, A. Szekeres, E. Halova	IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 15 (2010) 012037
“Second Harmonic Generation in Thin Ge35Sb5S60 Films”	S. Alexandrova, I. A.Maslyanitsyn, V. Pamukchieva, V. B. Tsvetkov, and V. D. Shigorin	Physics of Wave Phenomena 19 (2011) pp. 1– 4
“Annealing of Si surface region modified by plasma immersion implantation of nitrogen”	S. Alexandrova, E. Halova, A. Szekeres, E. Vlaikova, M. Gartner, M. Anastasescu	Journal of Physics: Conference Series 356 (2012) 012031
“Oxidation of Si surface nitrogenated by plasma immersion N+ ion implantation”	A. Szekeres, S. Alexandrova, E. Vlaikova, E. Halova	Bulg. J. Phys 39 (2012) 178 –185
“Infrared ellipsometry as an investigation tool of thin layers grown into plasma immersion N+ implanted silicon”	M. Gartner, A. Szekeres, S. Alexandrova, P. Osiceanu, M. Anastasescu, M. Stoica, A. Marin, E. Vlaikova, E. Halova	Applied Surface Science 258 (2012) 7195– 7201
“Stress characterization of thin microcrystalline silicon films”	K. Christova, S. Alexandrova, A. Abramov, E. Valcheva, B. Ranguelov, C. Longeaud, S. Reynolds, P. Roca i Cabarrocas	International Review of Physics 6 (2012) 106 – 112
“Mechanical stress in silicon oxides grown on hydrogen implanted Si“	S. Alexandrova, A. Szekeres, E. Valcheva	physica status solidi, C 9 (2012) 2203–2206
“Ellipsometric study of crystalline silicon hydrogenated by plasma immersion ion Implantation“	A. Szekeres, S. Alexandrova, P. Petrik, B. Fodor, S. Bakalova	Applied Surface Science 281 (2013) 105–108
„Silicon nanoparticles formed in silicon oxynitride by oxidation of plasma immersion N+ implanted silicon surface layer”	A. Szekeres, S. Alexandrova, E. Halova, M. Gartner, M Anastasescu, M. Stoica, P. Osiceanu, A. Marin	Nanoscience & Nanotechnology 13 (2013) 41–44. eds. E. Balabanova, E. Mileva, Sofia, 2013
„Mechanical stress and optical properties of Ge35Sb5S60 films”	S. Alexandrova, K. Christova, I. Miloushev, I.Maslyanitsyn, V. Pamukchieva, V. Shigorin, T. Tenev	Journal of Non-Crystalline Solids 389 (2014) 17–20
“Surface morphology of RF plasma immersion H+ ion implanted and oxidized Si(100) surface”	S. Alexandrova, E. Halova, A. Szekere, A. Marin, P. Osiceanu, S Bakalova, M Gartner, N Koujuharova	Journal of Physics: Conference Series 514 (2014) 012035
“Surface morphology of RF-plasma-immersion H+-ion-implanted and oxidized Si(100) surfaces”	M. Anastasescu, M. Stoica, M. Gartner, S. Bakalova, A. Szekeres and S. Alexandrova	Journal of Physics: Conf. Series 514 (2014) 012036
“Electrical parameters of thin nanoscale siox layers grown on plasma hydrogenated silicon”	S. Alexandrova, A. Szekeres, E. Halova, N. Kojuharova	Journal of Physics: Conf. Series 2014, 558, ISSN. 1742-6596, s. 012054
“Silicon surface modified by H+ ion plasma immersion implantation and thermal oxidation”	S. Alexandrova, A. Szekeres, E. Valcheva	Bulg. Chem. Commun. 47 (2015) 63

Обществена дейност

Независим експерт към 5РП и 7РП на ЕС

1998 – 2006 член на Научния съвет на Институт по физика на твърдото тяло, БАН

2003 – 2013 член на Съвета на Департамента по физика на ТУ – София

2007 – 2013 член на Факултетния съвет на ФаГОПМ на ТУ - София

2007 – 2010 член на Специализирания съвет по кондензирана материя към ВАК

1972 – член на Съюза на физиците в България 2011 - член на КК на Съюза на физиците в България

2004 - член на Българско дружество по материалознание